CTM-1000電運(yùn)輸性質(zhì)測試系統(tǒng)
產(chǎn)品分類: 電輸運(yùn)性質(zhì)測量系統(tǒng)
CTM-1000電運(yùn)輸性質(zhì)測試系統(tǒng)可以進(jìn)行霍爾效應(yīng)、R-H 特性、R-T 特性和 I-V 特性的測量, 可得出參數(shù):方塊電阻、電阻率、霍爾系數(shù)、霍爾遷移率、載流子濃度和導(dǎo)電類型,可繪制以上參數(shù)隨溫度或磁場的變化曲線,以及 I-V 特性——不同磁場和不同溫度下的 I-V 特性曲線,R-H 特性——固定溫度,電阻隨著磁場變化的特性曲線,R-T 特性——固定磁場,電阻隨著溫度變化的特性曲線。
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CTM-1000電運(yùn)輸性質(zhì)測試系統(tǒng)可以進(jìn)行霍爾效應(yīng)、R-H 特性、R-T 特性和 I-V 特性的測量, 可得出參數(shù):方塊電阻、電阻率、霍爾系數(shù)、霍爾遷移率、載流子濃度和導(dǎo)電類型,可繪制以上參數(shù)隨溫度或磁場的變化曲線,以及 I-V 特性——不同磁場和不同溫度下的 I-V 特性曲線,R-H 特性——固定溫度,電阻隨著磁場變化的特性曲線,R-T 特性——固定磁場,電阻隨著溫度變化的特性曲線。
一、電輸運(yùn)性質(zhì)測量系統(tǒng)主要特點(diǎn):
電輸運(yùn)測試系統(tǒng)可測試材料:
一、半導(dǎo)體材料:
二、 Si、Ge、GaAs、GaN、AlGaAs、CdTe、HgCdTe、CdTe、ZnO、SiC、GeSi、InP、MCT等,以及弱磁半導(dǎo)體和稀磁半導(dǎo)體的薄膜及塊材;
三、 鐵氧體材料;
四、 低阻抗材料:金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR材料等。
二、電輸運(yùn)性質(zhì)測量系統(tǒng)主要特點(diǎn):
1)標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)使用插入式樣品夾具,樣品安裝方便;
2)基本配置一次最多可以加裝四個(gè)樣品, 并同時(shí)可以對兩個(gè)樣品進(jìn)行測試;
3)標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)隨機(jī)配送一個(gè)探針樣品卡;
4)標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)可以進(jìn)行不同磁場下的霍爾效應(yīng)、I-V特性的測量;
5)電阻測量范圍寬:0.1mΩ—50GΩ(高阻系統(tǒng)),測量的不確定度為2%;
6)測試過程和計(jì)算過程由軟件自動(dòng)執(zhí)行,節(jié)省了大量的時(shí)間;
7)軟件可以顯示測量結(jié)果和測量曲線;
8)系統(tǒng)磁場采用閉環(huán)控制,可以提供高穩(wěn)定性的磁場, 同時(shí)解決了磁鐵剩磁問題,實(shí)現(xiàn)真正的零磁場;
9)選擇變溫選件,可以進(jìn)行不同溫度下的霍爾效應(yīng)測量和I-V特性測量。
二、主要技術(shù)參數(shù):
一、物理學(xué)參數(shù):
1.遷移率:1~1×106cm2/vs
2.載流子濃度:6×1012 ~ 6×1023cm-3
3.霍爾系數(shù):±1×10-5 ~±1×106cm3/C
4.電阻率:5×10-9 ~ 5×102Ω·cm
二、電學(xué)參數(shù)
1.電阻:0.1mΩ ~ 10MΩ
2.電流源:±50pA~±1A(±1.05A@±21V, ±105mA@±210V)
3.電壓源:±5μV~±200V(±21V@±1.05A, ±210V@±105mA)
4.電流測量:±10pA~±1.05A(10pA 為最小分辨率)
5.電壓測量:±1nV~±100V(1nV 為最小分辨率)
三、液氮恒溫器
1.溫度范圍:80-500K;
2.控溫精度:±0.1K;
3.配合霍爾系統(tǒng)可進(jìn)行低溫霍爾測試;
4.配合控溫儀和軟件使用需具備線性掃溫功能;
四、控溫儀
1.一路控溫,控溫精度±0.1K;
2.一路加熱,最大加熱功率50w;
3.三檔加熱輸出,PID控溫;
4.可遠(yuǎn)程控制,帶Labview驅(qū)動(dòng)及溫度控制軟件;
5.與液氮恒溫器配套使用;
四、機(jī)械泵
1.配套機(jī)械泵,抽速4L/s;
2.配備波紋管、卡箍等所需真空附件;
與液氮恒溫器配套使用。
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